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分立半导体
BSO220N03MD G参考图片

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BSO220N03MD G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2545
52.545
100
¥3.39
339
1,000
¥2.712
2712
2,500
¥2.712
6780
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
18.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
零件号别名
BSO220N03MDGXUMA1 BSO22N3MDGXT SP000447478
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO220N03MD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD5N50CTM-WS
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:6526
KBJ4005G
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 50V 4A Bridge Rectifier
1:¥9.1417
10:¥8.0682
25:¥7.3337
100:¥6.4184
参考库存:10923
S2MA R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥0.88366
1,800:¥0.72998
参考库存:21330
SR2010-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2.0A 100V
1:¥3.2318
10:¥1.8306
100:¥1.06785
500:¥0.86784
5,000:¥0.5537
10,000:查看
参考库存:38877
MMBD4148CA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 75V 600mA 4pF
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:77994

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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