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分立半导体
SIHW30N60E-GE3参考图片

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SIHW30N60E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
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数量单价合计
1
¥49.4827
49.4827
10
¥40.9512
409.512
100
¥33.7305
3373.05
250
¥32.657
8164.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
480
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHW30N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Nch 250V 51A MOSFET
1:¥30.962
10:¥26.2838
100:¥22.826
250:¥21.6734
参考库存:55501
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
暂无价格
参考库存:55506
分立半导体
整流器 8A, 200V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
1:¥7.3789
10:¥6.7574
100:¥5.2206
500:¥3.8646
800:¥2.8589
2,400:¥2.8024
参考库存:55511
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,35V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥7.3789
10:¥6.3732
25:¥5.8308
100:¥5.0737
2,000:¥2.6555
4,000:查看
参考库存:55516
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A,100V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥12.0684
10:¥10.6785
25:¥9.6841
100:¥8.4524
800:¥5.1641
2,400:查看
参考库存:55521
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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