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分立半导体
IPA057N08N3 G参考图片

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IPA057N08N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:6,910(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
1,000
¥7.1077
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
39 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
42 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPA057N08N3GXKSA1 IPA57N8N3GXK SP000454442
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPA057N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
2,500:¥2.147
参考库存:88296
分立半导体
达林顿晶体管 HV DarArray 6, 15V 7Drivers 500mA 250ns
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:25213
分立半导体
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥30.736
10:¥26.1256
100:¥22.6678
250:¥21.5152
参考库存:6435
分立半导体
MOSFET Dual N-Ch 100V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:18557
分立半导体
MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥7.4806
100:¥5.9551
500:¥4.6669
3,000:¥3.3787
6,000:查看
参考库存:74529
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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