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分立半导体
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FDS8842NZ

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数量单价合计
1
¥8.6784
8.6784
10
¥7.4241
74.241
100
¥5.7065
570.65
500
¥5.0398
2519.9
1,000
¥3.9776
3977.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS8842NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，FDS8842NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219 ECO-E3
30,000:¥0.99892
参考库存:45808
DDZ9702Q-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 500mW 3.3Vz 0.05mA 0.5uA Zener Diode
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:45813
MRFE6S9125NR1
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
500:¥487.3238
参考库存:45818
RS3BB-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 3.0A 100V
3,000:¥2.7007
参考库存:45823
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor
分立半导体
IGBT 晶体管 650V/40A CN86 FAST IGBT U
240:¥18.7467
250:¥17.8314
500:¥15.9782
1,000:¥13.447
参考库存:37175

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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