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分立半导体
MRFE6S9125NR1参考图片

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MRFE6S9125NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 125W
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¥487.3238
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 66 V
增益
20.2 dB
输出功率
27 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-4
封装
Reel
配置
Single
高度
2.64 mm
长度
17.58 mm
工作频率
880 MHz
系列
MRFE6S9125N
宽度
9.07 mm
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 0.5 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935314059528
单位重量
1.646 g
商品其它信息
优势价格，MRFE6S9125NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SK35AHF3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,50V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.9211
10:¥3.0736
100:¥2.0792
500:¥1.4238
1,800:¥0.95259
3,600:查看
参考库存:37982
RS2BAHF3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1.5A, 100V, GP FAST RECOVERY SMA RECTIFIER
1:¥4.8364
10:¥4.3844
100:¥2.8702
1,000:¥0.9605
1,800:¥0.791
参考库存:37987
TSM900N06CH X0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
MOSFET 60V 11A N Channel Power Mosfet
1,875:¥1.3108
15,000:¥1.3108
24,375:¥1.2656
参考库存:37992
BZD27C200P R3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 200V, ZENER
1:¥5.4579
10:¥3.1527
100:¥2.5425
500:¥1.5029
1,800:¥1.00683
9,000:查看
参考库存:37997
GBL203 C2
Taiwan Semiconductor
分立半导体
桥式整流器 2.0 Amp 200 Volt 60 Amp IFSM
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥3.1301
500:¥2.3052
参考库存:38002

  • 海量现货

    50万现货SKU

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