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分立半导体
2N7008-G参考图片

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2N7008-G

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库存:12,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥3.8985
38.985
25
¥3.2431
81.0775
100
¥2.9267
292.67
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
230 mA
Rds On-漏源导通电阻
7.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,2N7008-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
1:¥41.7196
10:¥34.578
100:¥28.4308
250:¥27.5833
参考库存:5897
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥91.1345
10:¥83.7556
25:¥80.2978
100:¥70.7719
参考库存:5214
分立半导体
MOSFET 40V 195A 1.4mOhm HEXFET 366W 300nC
1:¥26.5889
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
500:¥16.6788
参考库存:19416
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥58.8617
10:¥53.1778
25:¥50.7144
100:¥44.0248
参考库存:3988
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -150V 13A 580mOhm 44nC
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
3,000:¥4.3844
参考库存:17840
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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