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分立半导体
BAS 40 E6327参考图片

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BAS 40 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 肖特基二极管与整流器 40V 0.12A
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库存:33,829(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.8984
18.984
100
¥0.81473
81.473
1,000
¥0.63054
630.54
3,000
¥0.47686
1430.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
肖特基二极管与整流器
RoHS
产品
Schottky Diodes
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
If - 正向电流
120 mA
Vf - 正向电压
1 V
Ifsm - 正向浪涌电流
0.2 A
配置
Single
技术
Si
Ir - 反向电流
1 uA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
系列
BAS40
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.9 mm
工作温度范围
+ 150 C
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压
40 V
零件号别名
BAS40E6327HTSA1 BAS4E6327XT SP000010235
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BAS 40 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥465.2662
5:¥454.8137
10:¥437.0614
25:¥422.9251
参考库存:2882
分立半导体
桥式整流器 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
1:¥28.8941
10:¥23.8995
100:¥19.6733
250:¥19.0518
参考库存:6209
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 60 V 55 mo FET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
参考库存:6386
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5653
6,000:查看
参考库存:7103
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:5125
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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