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分立半导体
BSZ088N03MS G参考图片

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BSZ088N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:18,779(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2319
52.319
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
5,000
¥2.2826
11413
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
零件号别名
BSZ088N03MSGATMA1 BSZ88N3MSGXT SP000311509
商品其它信息
优势价格,BSZ088N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
1:¥45.0305
10:¥38.2618
100:¥33.1994
250:¥31.4253
500:¥28.2048
参考库存:2714
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
20,000:¥0.17628
40,000:查看
参考库存:116106
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 38A TO247-3
1:¥51.641
10:¥46.6464
25:¥44.4881
100:¥38.646
参考库存:2753
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 60V
1:¥1.695
10:¥1.5594
100:¥0.46895
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:33025
分立半导体
IGBT 模块 600V 75A DUAL
1:¥491.6969
5:¥480.7133
10:¥461.9666
25:¥447.0506
参考库存:2002
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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