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分立半导体
CSD88537NDT参考图片

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CSD88537NDT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:8,376(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.4806
748.06
250
¥7.4806
1870.15
500
¥6.6105
3305.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88537ND
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
42 S
开发套件
DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,CSD88537NDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 ZEN SMA TVS
1:¥3.4578
10:¥2.4747
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
5,000:¥0.7458
参考库存:66342
分立半导体
稳压二极管 13.82V 6% 1W 2-Pin PMDU
1:¥3.4578
10:¥2.4408
100:¥1.12209
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.73789
9,000:¥0.71416
参考库存:31044
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥2.3391
参考库存:30821
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8.0 A 60 V SCHOTTKY DIOD
1:¥5.9212
10:¥4.9607
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
1,500:¥2.1583
参考库存:1998
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HIGH GAIN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:129405
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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