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分立半导体
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CSD88537NDT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥11.4469
11.4469
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.4806
748.06
250
¥7.4806
1870.15
500
¥6.6105
3305.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
CSD88537ND
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
42 S
开发套件
DRV8308EVM, DRV8307EVM, BOOST-DRV8711
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，CSD88537NDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MTZJ39SC R0
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 zener 500mW 39V
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:47940
BZT52B4V7-G RHG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 350mW 2% 4V7
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥0.9831
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.31527
参考库存:47945
BZT52B8V2 RH
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 8.2 Volt 410mW 2%
1:¥2.0792
10:¥1.8419
100:¥1.04525
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.33787
参考库存:47950
BZT55B2V7 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 2.7 Volt 500mW 2%
1:¥1.695
10:¥1.4577
100:¥0.83733
1,000:¥0.30736
2,500:¥0.29945
参考库存:47955
S12GCHR7G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 12A, 400V, SMD RECTIFIER
1:¥4.8364
10:¥4.068
100:¥3.051
250:¥2.6442
850:¥1.6837
1,700:查看
参考库存:47960

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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