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分立半导体
BSO080P03NS3E G参考图片

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BSO080P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
- 61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
19 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO080P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC2712-GR,LF
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor Lo Freq 0.15A 50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:91475
2SD1781KT146Q
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32V 0.8A
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:19502
2N5629
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Pwr
160:¥51.4037
260:¥47.2566
500:¥39.7308
1,000:¥37.4934
参考库存:5434
BSS84AKM,315
Nexperia
分立半导体
MOSFET P-CH -50 V -230 mA 50V 230mA
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
10,000:¥0.68365
20,000:查看
参考库存:69796
BC547BTF
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 100mA HFE/450
1:¥2.0001
10:¥1.3447
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
2,000:¥0.29945
参考库存:114948

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