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分立半导体
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2N5629

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Pwr
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数量单价合计
160
¥51.4037
8224.592
260
¥47.2566
12286.716
500
¥39.7308
19865.4
1,000
¥37.4934
37493.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3-2
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
2 V
最大直流电集电极电流
16 A
增益带宽产品fT
1 MHz
最小工作温度
- 60 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5629
封装
Tube
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
0.45 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
4 at 16 A, 2 V
Pd-功率耗散
200 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
零件号别名
2N5629 TIN/LEAD
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格，2N5629的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZBZX84C15LT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG .225W 15V
1:¥1.07576
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
10,000:¥0.16159
20,000:查看
参考库存:113051
PEMT1,315
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.37629
24,000:查看
参考库存:47863
GBJ602-F
Diodes Incorporated
分立半导体
桥式整流器 6.0A 200V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:4940
DDTB114GU-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:13852
TK10A60W5,S5VX
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥15.7522
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
参考库存:4794

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