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分立半导体
IKD03N60RFATMA1参考图片

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IKD03N60RFATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
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库存:13,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8478
68.478
100
¥5.2545
525.45
500
¥4.6443
2322.15
1,000
¥3.6612
3661.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
5 A
Pd-功率耗散
53.6 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.41 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD03N60RF SP000942930
商品其它信息
优势价格,IKD03N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.63W
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1526
1,000:¥0.88366
10,000:¥0.69156
20,000:查看
参考库存:54271
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:6398
分立半导体
MOSFET -30V -3A 115 OHM PoserTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:21925
分立半导体
整流器 4.0 Amp 800 Volt
1:¥3.842
10:¥2.9493
100:¥2.1922
500:¥1.7967
6,500:¥1.1865
参考库存:37277
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SNGL PNP GP TRA SOT1123
1:¥2.6894
10:¥1.8419
100:¥0.7684
1,000:¥0.52206
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:99904
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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