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分立半导体
SQJ952EP-T1_GE3参考图片

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SQJ952EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥9.1417
9.1417
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.6105
661.05
500
¥5.1754
2587.7
3,000
¥3.7629
11288.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
23 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC, 30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
68 S, 68 S
下降时间
9 ns, 9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns, 6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ952EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-MURB1520TRR-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200V 15A IF (TO-263AB) 200A IFSM
1:¥9.1417
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥4.9833
800:¥3.9324
参考库存:26402
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12 Amp 40 Volt 280 Amp IFSM
1:¥7.9891
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.3392
1,000:¥3.4239
1,500:¥3.4239
参考库存:9037
MBRB1545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 15A,45V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.4806
500:¥6.4297
参考库存:26409
IPG20N06S2L50AATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
5,000:¥4.3053
10,000:查看
参考库存:3019
BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1246
500:¥5.4127
5,000:¥3.7855
10,000:查看
参考库存:26771

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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