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分立半导体
IRFH5215TRPBF参考图片

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IRFH5215TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC
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库存:23,074(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
4,000
¥5.6274
22509.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
6.7 ns
零件号别名
SP001554700
商品其它信息
优势价格,IRFH5215TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A 60V Single Die Schottky Rectifier
1:¥3.3787
10:¥2.5764
100:¥1.9097
500:¥1.5707
3,500:¥1.10627
7,000:查看
参考库存:158662
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥351.8481
2:¥342.2431
5:¥332.7963
10:¥323.2704
参考库存:2124
分立半导体
IGBT 晶体管 Trenchstop 5 IGBT
1:¥28.3517
10:¥24.0464
100:¥20.905
250:¥19.8202
500:¥17.7523
参考库存:4836
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥16.9048
10:¥14.0572
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:5588
分立半导体
MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified
1:¥13.8312
10:¥12.2944
100:¥9.7632
500:¥7.6727
2,000:¥5.5144
4,000:查看
参考库存:38075
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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