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分立半导体
TK8A60W,S4VX参考图片

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TK8A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
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数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥16.9048
169.048
100
¥13.5261
1352.61
500
¥11.8311
5915.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
420 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
18.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK8A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK8A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50:¥1,504.0639
100:¥1,504.0639
参考库存:38039

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    品类不断扩充

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