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分立半导体
STF18NM60N参考图片

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STF18NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
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数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9047
149.047
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
35 nC
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF18NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF18NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF10502
MACOM
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 1025-1150MHz 500W Gain 8.5dB
1:¥2,303.4372
参考库存:1912
PDU540-13
Diodes Incorporated
分立半导体
整流器 RECTIFIER ULTRAFAST PWRDI 5 5.0A 400V
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
5,000:¥4.1471
参考库存:74059
IDB15E60ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Switching 600V EmCon Diode
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥7.9891
参考库存:11801
SSM6K361NU,LF
Toshiba
分立半导体
MOSFET LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
1:¥3.6838
10:¥2.7007
100:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.08367
参考库存:29188
T3050H-6I
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 SNUBBERLESS 30 A TRIACS
1:¥26.7358
10:¥22.7469
100:¥19.7524
250:¥18.6676
参考库存:37755

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    50万现货SKU

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