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分立半导体
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FMMTA92TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 300 V
集电极—基极电压 VCBO
- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMTA
直流电流增益 hFE 最大值
25 at 1 mA, 10 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 mA, 10 V, 40 at 10 mA, 10 V, 25 at 30 mA, 10 V
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMTA92TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STBV32-AP
STMicroelectronics
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
参考库存:61462
IRG4PH40UD2-EP
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V UltraFast 5-40kHz
1:¥47.4826
10:¥42.8722
25:¥40.8834
100:¥35.5046
参考库存:5049
IRLR3410TRRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥4.0115
1,000:¥3.164
3,000:¥3.164
参考库存:16591
SS23 R5
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A 30V
1:¥4.068
10:¥2.8476
100:¥1.8871
500:¥0.91417
850:¥0.82942
参考库存:6548
1N4007B-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1:¥1.3786
10:¥1.11418
100:¥0.43053
1,000:¥0.26894
参考库存:21225

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    50万现货SKU

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