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分立半导体
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FMMTA92TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Voltage
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2261
22.261
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
3,000
¥0.5537
1661.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 300 V
集电极—基极电压 VCBO
- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FMMTA
直流电流增益 hFE 最大值
25 at 1 mA, 10 V
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 1 mA, 10 V, 40 at 10 mA, 10 V, 25 at 30 mA, 10 V
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，FMMTA92TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6140AUS
Semtech
分立半导体
稳压二极管 T DAP BI 1500W SM
250:¥121.9496
500:¥111.8022
参考库存:33625
PTFC270051M-V2-R1K
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
1,000:¥60.2403
参考库存:33630
PTFB213208FV-V2-R0
Wolfspeed / Cree
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:33635
1PMT5956AE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:33640
APTM10DSKM09T3G
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥506.918
参考库存:33645

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    50万现货SKU

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