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分立半导体
TK50E06K3(S1SS-Q)参考图片

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TK50E06K3(S1SS-Q)

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参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK50E06K3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK50E06K3(S1SS-Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 100 Volt 10 Amp 25ns Dual 55 Amp IFSM
2,000:¥4.1471
参考库存:36012
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
6,000:¥1.4012
12,000:¥1.3108
24,000:¥1.243
参考库存:36017
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥2.2939
24,000:¥2.147
参考库存:36022
分立半导体
整流器 1A,50V,SM RECTIFIER
22,500:¥0.49946
30,000:¥0.46895
参考库存:36027
分立半导体
IGBT 模块
10:¥992.2304
30:¥971.3367
参考库存:36032
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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