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分立半导体
STU4N52K3参考图片

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STU4N52K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 525V 2.1 Ohm 2.5A SuperMESH 3
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数量单价合计
1
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8.2264
10
¥6.3732
63.732
100
¥5.0737
507.37
500
¥4.6217
2310.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
525 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STU4N52K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU4N52K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:33645
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