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分立半导体
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FGP3040G2-F085

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1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
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4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—射极饱和电压
1.68 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
41 A
Pd-功率耗散
150 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGP3040G2_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25.6 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
FGP3040G2_F085
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FGP3040G2-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ100D/TR12
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100:¥348.9327
200:¥329.4176
参考库存:30143

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    50万现货SKU

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