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FS50R06YL4

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数量单价合计
1
¥483.1654
483.1654
5
¥472.34
2361.7
10
¥453.8984
4538.984
25
¥439.2988
10982.47
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
55.9 mm
宽度
45.6 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R06YL4BOMA1 SP000100285
商品其它信息
优势价格，FS50R06YL4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2P75S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥465.2662
5:¥454.8137
10:¥437.0614
25:¥422.9251
参考库存:2882
GBUE2560-M3/P
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 600V Vrrm; 25A If Case Style GBU
1:¥28.8941
10:¥23.8995
100:¥19.6733
250:¥19.0518
参考库存:6209
BUK9K52-60E,115
Nexperia
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 60 V 55 mo FET
1:¥6.2263
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.7007
参考库存:6386
STL10N65M2
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.4524
3,000:¥6.5653
6,000:查看
参考库存:7103
IPW65R190CFD
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2
1:¥25.7414
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.9783
500:¥16.1364
参考库存:5125

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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