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分立半导体
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PD55035-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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数量单价合计
1
¥254.1822
254.1822
5
¥251.5719
1257.8595
10
¥234.4411
2344.411
25
¥223.9095
5597.7375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
16.9 dB
输出功率
35 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55035-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD55035-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT100GT120JU3
Microsemi
分立半导体
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥388.8895
5:¥375.8267
10:¥363.6114
25:¥336.2541
参考库存:3726
DZ600N16K
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分立半导体
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1:¥1,346.847
5:¥1,314.4273
10:¥1,281.8494
25:¥1,263.8598
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RS2006M
Rectron
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桥式整流器 20A 800V
1:¥24.2046
100:¥20.8259
500:¥16.9839
1,000:¥14.8256
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VS-ST300C16L0
Vishay Semiconductors
分立半导体
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1:¥1,081.1388
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10:¥1,010.5251
25:¥989.315
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APT2X51DC120J
Microsemi
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,087.3651
5:¥1,060.5502
10:¥1,034.9557
25:¥997.3832
参考库存:3789

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    50万现货SKU

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