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分立半导体

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APT100GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：3,726(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥388.8895
388.8895
5
¥375.8267
1879.1335
10
¥363.6114
3636.114
25
¥336.2541
8406.3525
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Carbide Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
480 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT100GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SZMM5Z16VT5G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD523
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.5989
24,000:查看
参考库存:30331
MMSZ4706-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 19 Volt 0.5W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:30336
GDZ2V4B-HG3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SOD323-HG3
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
参考库存:30341
DMN2230UQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
2,500:¥0.82264
10,000:¥0.7684
参考库存:55925
AZ23B36-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
15,000:¥0.3842
参考库存:30348

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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