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分立半导体
TPW4R50ANH,L1Q参考图片

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TPW4R50ANH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Mosfet 60V N-CH Mosfet 100V
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库存:203,280(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥18.1365
181.365
100
¥16.2946
1629.46
500
¥12.6786
6339.3
5,000
¥9.4468
47234
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSOP Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
92 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
142 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.73 mm
长度
5 mm
系列
TPW4R50ANH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52 ns
典型接通延迟时间
25 ns
单位重量
98 mg
商品其它信息
优势价格,TPW4R50ANH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.0W 6.2V 5%
1:¥2.147
10:¥1.4012
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
参考库存:3601
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
1:¥304.2073
5:¥295.7549
10:¥283.4605
20:¥263.0979
参考库存:2628
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 2000 Volt 300 Amp
12:¥871.5238
36:¥853.2291
60:¥841.0929
108:¥810.5829
参考库存:24204
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pb Sml Signal Trans General purpose
1:¥41.8778
10:¥37.4256
100:¥34.0356
250:¥30.736
参考库存:3720
分立半导体
整流器 100V 10A
1:¥4.9946
10:¥3.8646
100:¥3.3787
250:¥2.938
1,500:¥1.7628
4,500:查看
参考库存:4487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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