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分立半导体
IRF3007PBF参考图片

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IRF3007PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC
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数量单价合计
1
¥18.5207
18.5207
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.5995
1259.95
500
¥11.0627
5531.35
1,000
¥9.1417
9141.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
12.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
89 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP001571144
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF3007PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
10,000:¥0.12317
20,000:查看
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10:¥2.9154
100:¥1.7741
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1639
参考库存:44677
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    50万现货SKU

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