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分立半导体
TPH3R003PL,LQ参考图片

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TPH3R003PL,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W
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数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.0173
70.173
100
¥5.3901
539.01
500
¥4.7686
2384.3
3,000
¥3.3335
10000.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
134 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
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7,000:¥0.791
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参考库存:30952
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    保证原装正品

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