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分立半导体

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APTGT300A120G

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100
¥1,310.2802
131028.02
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
420 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
1.38 kW
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT300A120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP4065SQ-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
10,000:¥1.2656
参考库存:44871
PZU4.3B2,115
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE
3,000:¥0.62263
9,000:¥0.5537
24,000:¥0.52206
45,000:¥0.46104
99,000:¥0.44522
参考库存:44876
MBR1640
Diodes Incorporated
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A 40V
暂无价格
参考库存:44881
BZX84C15T-7-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150mW 15V Zener
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
参考库存:199843
AFT18S290-13SR3
NXP / Freescale
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF1 1.8GHZ NI-880X-2L4S
250:¥908.1697
参考库存:44888

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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