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分立半导体
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PTFB213004F-V2-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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50
¥1,097.7385
54886.925
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB213004F-V2-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT12057B2FLLG
Microsemi
分立半导体
MOSFET Power FREDFET - MOS7
30:¥328.3328
50:¥317.7334
100:¥307.8233
250:¥287.3025
参考库存:47261
BTA312-600D,127
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 RAIL-THYR AND TRIACS
5,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
25,000:¥2.8589
参考库存:47266
VS-2N5205
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR 800 Volt 35 Amp
100:¥103.8131
200:¥94.5923
500:¥88.5242
1,000:¥81.2244
参考库存:47271
55GN01FA-TL-H
ON Semiconductor
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5
8,000:¥0.66896
24,000:¥0.62263
48,000:¥0.56048
96,000:¥0.53788
参考库存:327233
PRMH10Z
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH10/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:47278

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