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分立半导体
DMTH8012LK3-13参考图片

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DMTH8012LK3-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.5935
55.935
100
¥4.3053
430.53
500
¥3.8081
1904.05
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
12.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
34 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH8012
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.5 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,DMTH8012LK3-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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10:¥3.39
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100:¥1.5707
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12,000:¥0.94468
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3,000:¥1.7176
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参考库存:33111
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    50万现货SKU

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