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分立半导体
DMT10H072LFDF-7参考图片

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DMT10H072LFDF-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
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1
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4.9155
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.6442
264.42
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥2.1244
6373.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
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