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NAND闪存
TH58NVG3S0HBAI6参考图片

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TH58NVG3S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥64.5456
64.5456
10
¥59.3928
593.928
25
¥58.1724
1454.31
50
¥58.0142
2900.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NVG3S0HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S34ML16G202BHI003
Cypress Semiconductor
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NAND闪存 Nand
2,300:¥169.6582
参考库存:33490
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1:¥53.2456
10:¥49.0194
25:¥48.025
50:¥47.799
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MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR
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NAND闪存 SLC 128G 16GX8 TSOP QDP
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参考库存:33497
S34MS04G200BHV000
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NAND闪存
NAND闪存 Nand
210:¥63.3139
420:¥58.5566
630:¥51.0195
1,050:¥47.4826
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40060519
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 NAND
1:¥84.298
10:¥77.3033
25:¥70.2295
50:¥66.9299
参考库存:33507

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