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NAND闪存
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TC58NVG3S0FBAID

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
168
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58NVG3S0FBAID的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25:¥21.8203
50:¥21.7412
参考库存:1778

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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