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NAND闪存

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TH58BVG2S3HBAI6

  • Toshiba Memory
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  • NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
338
¥31.3462
10595.0156
676
¥29.3574
19845.6024
1,014
¥28.1257
28519.4598
2,704
¥26.3516
71254.7264
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58BVG2S3HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT29F4G08ABADAH4:D TR
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    50万现货SKU

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