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NAND闪存
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TC58NVG2S3EBAI5

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
180
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58NVG2S3EBAI5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
W29N02GVBIAA
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 2G-bit NAND flash, 3V x 8bit
1:¥34.8831
10:¥31.7304
25:¥31.0411
50:¥30.8151
参考库存:6055
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A
Micron
NAND闪存
NAND闪存
1,120:¥171.195
参考库存:34957
W29N08GWBIBA TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 8G-bit NAND flash, 1.8V, 1-bit ECC, x16
2,500:¥74.693
参考库存:34962
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 2G 128MX16 TSOP
1:¥38.194
10:¥34.7362
25:¥33.7305
100:¥30.2727
1,000:¥27.5833
参考库存:10297
MT29F4G08ABBDAH4:D
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
1:¥42.1829
10:¥38.4991
25:¥37.7307
50:¥37.4934
参考库存:34969

  • 海量现货

    50万现货SKU

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