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NAND闪存

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TH58NYG2S3HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
210
¥31.5044
6615.924
420
¥31.3462
13165.404
630
¥29.3574
18495.162
1,050
¥28.1257
29531.985
2,520
¥26.3516
66406.032
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NYG2S3HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TC58NVG0S3HBAI4
Toshiba Memory
NAND闪存
NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
1:¥22.1254
10:¥19.8993
25:¥19.5942
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参考库存:3111
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D
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1,260:¥85.2133
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NAND闪存
NAND闪存 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
暂无价格
参考库存:31773
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR
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NAND闪存
暂无价格
参考库存:31778
W29N01HZDINF
Winbond
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NAND闪存 1G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC x8
1:¥23.8995
10:¥21.5152
25:¥21.2101
50:¥21.131
参考库存:31783

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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