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NAND闪存
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TC58NVG0S3ETA00

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-48
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
组织
128 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
0 C
最大工作温度
+ 70 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
96
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TC58NVG0S3ETA00的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 Nand
2,300:¥122.5598
参考库存:34195
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NAND闪存 2G 1.8V x8 4-bit NAND闪存
1:¥63.8563
10:¥57.856
25:¥53.8671
100:¥50.4884
参考库存:3955
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 256MX16 FBGA
1:¥46.104
10:¥42.1038
25:¥41.3354
50:¥41.0303
参考库存:8112
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NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
1:¥86.6032
10:¥80.8402
25:¥80.5238
50:¥77.6084
1,000:¥62.1613
参考库存:34204
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1:¥121.7123
5:¥116.8759
10:¥113.339
25:¥112.7288
参考库存:3889
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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