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射频晶体管
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ARF463AP1G

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥277.0082
277.0082
5
¥264.5556
1322.778
10
¥256.2614
2562.614
25
¥235.5146
5887.865
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
2 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4.2 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，ARF463AP1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D2212UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-12.5V-1GHz SE
50:¥441.0616
100:¥428.9254
参考库存:37258
D2005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 7.5W-28V- 1GHz SE
50:¥416.9361
参考库存:37263
BFP 196W H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
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1:¥3.616
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.59212
参考库存:32362
A2G22S190-01SR3
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:37270
MRF5176
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:37275

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