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射频晶体管
A3G22H400-04SR3参考图片

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A3G22H400-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power GaN Trnsitr 1805-2200 MHz 79W48V
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数量单价合计
250
¥983.3938
245848.45
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
29.7 mA
Vds-漏源极击穿电压
150 V
增益
15.3 dB
输出功率
79 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
工作频率
1800 MHz to 2200 MHz
系列
A3G22H400
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935370222128
商品其它信息
优势价格，A3G22H400-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1007HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:39080
PTVA123501FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:39085
A2T21H140-24SR3
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
250:¥326.796
参考库存:39090
AFG24S100HR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFG24S100H/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
50:¥2,575.1344
参考库存:39095
MRF275L
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
1:¥676.192
10:¥633.93
25:¥619.1044
50:¥604.3466
参考库存:39100

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