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射频晶体管
D2008UK参考图片

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D2008UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-400MHz SE
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数量单价合计
120
¥213.6152
25633.824
270
¥208.6206
56327.562
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
配置
Single
高度
4.95 mm
长度
9.4 mm
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
29 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D2008UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
50:¥994.0045
参考库存:39993
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G
1:¥191.4898
5:¥183.0374
10:¥176.6529
25:¥154.1433
500:¥132.9332
参考库存:39998
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
1:¥238.204
25:¥206.0103
100:¥178.1897
250:¥165.7484
参考库存:7717
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 13V 150mW 13dB 7GHz
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:18774
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W
1:¥61.7771
10:¥55.8672
25:¥53.2456
100:¥46.2622
参考库存:8346
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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