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射频晶体管
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TP9383

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库存:4,558(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥571.5314
571.5314
10
¥524.433
5244.33
25
¥470.645
11766.125
50
¥416.857
20842.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
16 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M177
封装
Tray
工作频率
108 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
230 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TP9383的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:189156
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic
1:¥69.6984
10:¥63.0088
25:¥60.0934
100:¥52.1721
3,000:¥38.1149
参考库存:5743
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,459.7145
参考库存:38776
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD
400:¥316.4226
参考库存:38781
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:5315
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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