您好!欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

射频晶体管
MHT1108NT1参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

MHT1108NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MHT1108N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • 公司名:
  • *联系人:
  • *电话:
  • *邮箱:
   微信:      QQ:
库存:37,737(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥89.9819
89.9819
10
¥82.7612
827.612
25
¥79.3034
1982.585
100
¥69.8453
6984.53
1,000
¥57.0198
57019.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
143 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.1 dB
输出功率
12.5 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2450 MHz
系列
MHT1108N
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
Pd-功率耗散
32.9 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
0.8 V
零件号别名
935337042515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格,MHT1108NT1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥254.8828
5:¥243.4246
10:¥235.8197
25:¥216.6888
参考库存:3525
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17927
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
600:¥178.1106
参考库存:36945
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:18224
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
9,000:¥0.86106
参考库存:45131
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话:13148740189

手机:13590238352

传真:0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址:赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们