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射频晶体管
PXAC261212FC-V1-R250参考图片

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PXAC261212FC-V1-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥640.5405
160135.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
280 mA
Vds-漏源极击穿电压
28 V
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
增益
15 dB
输出功率
120 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
2496 MHz to 2690 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
2.6 V
商品其它信息
优势价格，PXAC261212FC-V1-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N2857/TR
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
100:¥158.9797
200:¥145.9169
500:¥138.8544
参考库存:38228
AGR18060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 60Watt Gain 14dB
1:¥783.768
5:¥719.2224
10:¥645.456
25:¥571.6896
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TGF2023-2-02
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100:¥291.766
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参考库存:6722
MMRF1004NR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:7209
A3T18H360W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥877.3546
5:¥861.2182
10:¥822.414
25:¥795.068
100:¥740.2743
150:¥678.339
参考库存:38242

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    50万现货SKU

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