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射频晶体管

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MMRF5300NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥1,807.8192
1807.8192
5
¥1,767.4782
8837.391
10
¥1,731.3634
17313.634
25
¥1,705.7689
42644.2225
50
¥1,643.8336
82191.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
17 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-270-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
105.3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
零件号别名
935322537528
单位重量
554.700 mg
商品其它信息
优势价格,MMRF5300NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,159.2105
参考库存:39070
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
1:¥1,923.9945
10:¥1,698.9324
25:¥1,541.4104
50:¥1,445.7446
参考库存:39075
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V
50:¥4,765.0744
参考库存:39080
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥3,941.1236
参考库存:39085
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H140-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥399.4098
5:¥390.4263
10:¥375.2052
25:¥363.1481
250:¥326.796
参考库存:39090
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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