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射频晶体管
AFV141KHSR5参考图片

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AFV141KHSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV141KHS/CFM4F///REEL 13
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50
¥3,779.1494
188957.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
17.7 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
910 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316277178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，AFV141KHSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTVA101K02EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥4,926.3706
参考库存:34564
MAAM-009455-TR1000
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
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BLT81,115
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射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF
1:¥18.6676
10:¥15.9104
100:¥12.6786
500:¥11.1418
1,000:¥9.2208
参考库存:7523
CE3512K2-C1
CEL
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
1:¥8.8366
10:¥6.7574
100:¥4.9155
500:¥4.181
10,000:¥3.0736
参考库存:118015
PTFB183404E-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥1,281.0019
参考库存:34578

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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