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射频晶体管
MAAM-009455-TR1000参考图片

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MAAM-009455-TR1000

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
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数量单价合计
1,000
¥49.72
49720
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
MESFET
技术
GaAs
增益
20.5 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
375 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-20
封装
Reel
工作频率
1 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
产品
RF JFET
类型
GaAs MESFET
商标
MACOM
NF—噪声系数
5.5 dB
P1dB - 压缩点
26 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MAAM-009455-TR1000的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥816.425
10:¥749.19
25:¥672.35
50:¥595.51
参考库存:39607
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥500.5335
参考库存:39612
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:39617
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.5763
参考库存:36346
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
1:¥1,206.8513
参考库存:6358
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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