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射频晶体管

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BFR 193F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2713
22.713
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.68365
2050.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR193
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
封装
Cut Tape
封装
Reel
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR193FH6327XT BFR193FH6327XTSA1 SP000750424
商品其它信息
优势价格，BFR 193F H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT20S015GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8-2.7G 15W TO270-2G
1:¥224.757
5:¥214.926
10:¥207.3889
25:¥180.9582
500:¥156.0643
参考库存:7116
D5017UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-50V-175MHz SE
50:¥390.5054
100:¥383.0474
参考库存:39739
MRF173
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥484.092
10:¥403.41
25:¥363.069
50:¥322.728
参考库存:39744
ARF446G
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥362.6057
2:¥352.7747
5:¥343.0115
10:¥333.2596
参考库存:6323
D1020UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-28V-175MHz SE
1:¥1,610.3404
10:¥1,416.003
25:¥1,286.4598
50:¥1,129.0847
参考库存:39751

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