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射频晶体管
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AFT05MS003NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
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1
¥24.2837
24.2837
10
¥22.2836
222.836
25
¥20.2835
507.0875
100
¥18.2156
1821.56
1,000
¥13.673
13673
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 30 V
增益
20.8 dB
输出功率
3.2 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
30.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935312585147
单位重量
50.800 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1014SR
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:5439
MRF6V10010NR4
NXP / Freescale
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1:¥502.9969
5:¥492.3184
10:¥473.1084
25:¥457.8873
100:¥424.315
参考库存:5211
PTRA097008NB-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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10:¥494.4654
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50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:38604

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