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射频晶体管
BFT25,215参考图片

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BFT25,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
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库存:17,727(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.2487
224.87
1,000
¥1.7402
1740.2
3,000
¥1.4803
4440.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
6.5 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
8 V
直流电流增益 hFE 最大值
20
高度
1 mm
长度
3 mm
工作频率
2300 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
2300 MHz
最大直流电集电极电流
10 mA
Pd-功率耗散
30 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933222700215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFT25,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥576.30
10:¥480.25
25:¥432.225
50:¥384.20
参考库存:40313
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
1:¥1.8419
10:¥1.1978
100:¥0.54579
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26103
参考库存:33647
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1030MHz 1000W Gain: 8.0dB
20:¥3,610.9376
参考库存:40320
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,688.2539
参考库存:40325
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 20dB 175MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:40330
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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