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射频晶体管
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MMBT2907A-G

  • Comchip Technology
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA
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数量单价合计
1
¥1.8419
1.8419
10
¥1.1978
11.978
100
¥0.54579
54.579
1,000
¥0.34578
345.78
3,000
¥0.26103
783.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Comchip Technology
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
MMBT2907A
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极连续电流
- 600 mA
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
200 MHz
输出功率
-
类型
RF Bipolar Power
商标
Comchip Technology
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBT2907A-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MS1008MP
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANSISTOR
10:¥1,228.6716
参考库存:35494
ST9060C
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50:¥466.9612
100:¥432.7674
参考库存:35499
QPD1025
Qorvo
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
1:¥6,170.252
参考库存:35504
1035MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥951.8216
100:¥917.2436
参考库存:35509
BFP540H6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:42188

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