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射频晶体管
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MRF8VP13350NR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
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50
¥1,067.4658
53373.29
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 100 V
增益
19.2 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-780-4L
封装
Reel
工作频率
700 MHz to 1300 MHz
系列
MRF8VP13350
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935316089578
单位重量
3.074 g
商品其它信息
优势价格，MRF8VP13350NR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP 405F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:17629
PD55003-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
250:¥71.2352
参考库存:3286
BFU690F,115
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 18GHz
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:219088
D2015UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 5W-28V-500MHz SE
50:¥390.1212
100:¥379.3636
参考库存:35706
BFP 740ESD H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.0002
10:¥3.2996
100:¥2.0114
1,000:¥1.5481
3,000:¥1.3334
参考库存:25055

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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